400-003-5559
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针对PWM噪声导致的电流采样失真，平尚科技通过螺旋沟槽电极（ESL=0.5nH）和三明治结构（TCR±10ppm/℃），在保持±0.1%精度同时实现较进口品牌降本30%。提供电感-精度模型、封装性价比矩阵及三线布局三策略，在焊接...
针对关节温升导致的扭矩误判，平尚科技通过锰铜银纳米合金（TCR±10ppm/℃）和立体沟槽散热设计（30A负载温升18℃），在1206封装实现5mΩ/5W功率容量。提出温升-误差模型、功率降额曲线及热力布局三原则，在装配机器...
针对AGV工作温差导致的定位偏移，平尚科技通过镍铬钽氮薄膜（温漂±2ppm/℃）和应力缓冲结构，结合IATF 16949分选工艺实现-40℃~125℃阻值偏差≤±0.015%。提出温漂-定位模型、热力布局及动态负载验证三原则，在仓储...
针对关节温升导致的采样误差，平尚科技通过镍铬铝硅纳米薄膜（温漂±2ppm/℃）和三级分选体系（精度±0.001%），结合IATF 16949认证实现-55℃~155℃全温域偏差≤±0.02%。提出温漂-扭矩映射模型、开尔文布局及功率降...
针对15G过载导致的电容机械失效，平尚科技通过陶瓷纤维增强介质（断裂韧性8.5MPa·m¹/²）和波纹端电极结构，在20G振动下容值偏移＜±0.8%。提供振动谱映射、焊点应力仿真及复合应力验证三步骤，结合六旋翼案例说明如...
针对AI芯片100A/μs级瞬态电流引发的电压塌陷，平尚科技通过镍基电极MLCC（ESL=0.2nH）和倒装铜柱结构（接触电阻＜0.1mΩ），在0402封装实现22μF容量。提出基于频谱的容值分配、三维堆叠布局及阻抗连续性验证三原则...
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