针对PWM噪声导致的电流采样失真,平尚科技通过螺旋沟槽电极(ESL=0.5nH)和三明治结构(TCR±10ppm/℃),在保持±0.1%精度同时实现较进口品牌降本30%。提供电感-精度模型、封装性价比矩阵及三线布局三策略,在焊接...
针对关节温升导致的扭矩误判,平尚科技通过锰铜银纳米合金(TCR±10ppm/℃)和立体沟槽散热设计(30A负载温升18℃),在1206封装实现5mΩ/5W功率容量。提出温升-误差模型、功率降额曲线及热力布局三原则,在装配机器...
针对AGV工作温差导致的定位偏移,平尚科技通过镍铬钽氮薄膜(温漂±2ppm/℃)和应力缓冲结构,结合IATF 16949分选工艺实现-40℃~125℃阻值偏差≤±0.015%。提出温漂-定位模型、热力布局及动态负载验证三原则,在仓储...
针对关节温升导致的采样误差,平尚科技通过镍铬铝硅纳米薄膜(温漂±2ppm/℃)和三级分选体系(精度±0.001%),结合IATF 16949认证实现-55℃~155℃全温域偏差≤±0.02%。提出温漂-扭矩映射模型、开尔文布局及功率降...
针对15G过载导致的电容机械失效,平尚科技通过陶瓷纤维增强介质(断裂韧性8.5MPa·m¹/²)和波纹端电极结构,在20G振动下容值偏移<±0.8%。提供振动谱映射、焊点应力仿真及复合应力验证三步骤,结合六旋翼案例说明如...
针对AI芯片100A/μs级瞬态电流引发的电压塌陷,平尚科技通过镍基电极MLCC(ESL=0.2nH)和倒装铜柱结构(接触电阻<0.1mΩ),在0402封装实现22μF容量。提出基于频谱的容值分配、三维堆叠布局及阻抗连续性验证三原则...