AI眼镜硅电容 01005 47nF ±10% 超薄低损耗

1、专为 AI 眼镜场景设计，采用高纯度硅基介质 + 超薄封装工艺，介电性能稳定、耐温变、抗振动，适配 AI 眼镜超紧凑空间、高频工作、长期穿戴等复杂场景，可靠性符合穿戴设备标准；
2、01005 极限微型封装（0.4×0.2mm），是 AI 眼镜等穿戴设备的极致空间适配封装，相比 0201 封装节省 30% 以上 PCB 面积，兼容高精度自动化贴片工艺，满足大批量生产需求；
3、标称容量 47nF（473），容量精度 ±10%（K 级），等效串联电阻（ESR）≤30mΩ@1MHz，参数一致性强，可高效实现高频电源去耦，快速吸收电路杂波，保障芯片供电纯净；
4、宽温工作范围 - 55℃~+125℃，覆盖 AI 眼镜户外低温、室内常温全使用环境，温度系数（TCR）±100ppm/℃，容量随温度变化极小，稳定适配穿戴设备复杂温变工况；
5、高频损耗极低（DF≤1.5%@1MHz），寄生电感近乎忽略，适配 AI 眼镜高频主控芯片、蓝牙 / WIFI 模块的工作需求，减少信号衰减与电磁干扰，助力设备低功耗长续航。

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1、专为 AI 眼镜场景设计，采用高纯度硅基介质 + 超薄封装工艺，介电性能稳定、耐温变、抗振动，适配 AI 眼镜超紧凑空间、高频工作、长期穿戴等复杂场景，可靠性符合穿戴设备标准；

2、01005 极限微型封装（0.4×0.2mm），是 AI 眼镜等穿戴设备的极致空间适配封装，相比 0201 封装节省 30% 以上 PCB 面积，兼容高精度自动化贴片工艺，满足大批量生产需求；

3、标称容量 47nF（473），容量精度 ±10%（K 级），等效串联电阻（ESR）≤30mΩ@1MHz，参数一致性强，可高效实现高频电源去耦，快速吸收电路杂波，保障芯片供电纯净；

4、宽温工作范围 - 55℃~+125℃，覆盖 AI 眼镜户外低温、室内常温全使用环境，温度系数（TCR）±100ppm/℃，容量随温度变化极小，稳定适配穿戴设备复杂温变工况；

5、高频损耗极低（DF≤1.5%@1MHz），寄生电感近乎忽略，适配 AI 眼镜高频主控芯片、蓝牙 / WIFI 模块的工作需求，减少信号衰减与电磁干扰，助力设备低功耗长续航。

使用场景

适配 AI 眼镜全场景核心电路需求，可用于主控板 CPU/NPU 的电源去耦、电源管理模块的滤波稳压、光学驱动电路的信号调理、无线充电模块的谐振滤波、传感器模组的干扰抑制、显示驱动单元的供电稳定等场景；尤其适合对封装尺寸、功耗、高频性能要求严苛的 AI 眼镜核心电路，是保障设备小型化、低功耗、高稳定性的核心被动元器件。

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