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车规级电容 0805 150nF 50V X7R ±10%

车规级电容 0805 150nF 50V X7R ±10%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用高可靠钛酸钡陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载 ECU、BMS、车灯模块电源去耦滤波,核心优势宽温稳定、抗振动冲击、耐车载恶劣工况、容值漂移小、适配 SMT 高速量产,主要用于车身控制器、车载传感器、座舱电子、车载 DC‑DC 回路。

车规级电容 0805 22μF 16V X6S ±20%

车规级电容 0805 22μF 16V X6S ±20%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用 X6S 高容钛酸钡陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载 DC‑DC 电源、BMS、座舱电控大电流去耦稳压,核心优势小体积大容量、‑55℃~+105℃容值变化≤±22%、抗振动冲击、耐车载恶劣工况、适配 SMT 高速量产,主要用于车身控制器、车载信息娱乐、电源模块、车载负载回路京セラAV...

车规级电容 0805 680pF 100V C0G ±5%

车规级电容 0805 680pF 100V C0G ±5%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用 C0G 一类温度补偿陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载射频匹配、晶振负载、ADAS 信号调理回路,核心优势温漂极小、无偏压容值衰减、低损耗、抗振动冲击、适配 SMT 高速量产,主要用于自动驾驶模块、车载传感器、车载时钟振荡、高频信号回路。

车规级电容 0805 330nF 50V X7R ±20%

车规级电容 0805 330nF 50V X7R ±20%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用高可靠钛酸钡陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载 ECU、BMS、车灯模块电源去耦滤波,核心优势宽温稳定、抗振动冲击、耐车载恶劣工况、容值漂移小、适配 SMT 高速量产,主要用于车身控制器、车载传感器、座舱电子、车载 DC‑DC 回路。

车规级电容 0805 1μF 100V X7R ±10%

车规级电容 0805 1μF 100V X7R ±10%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用高可靠钛酸钡陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载 ECU、BMS、车灯模块电源去耦滤波,核心优势宽温稳定、抗振动冲击、耐车载恶劣工况、容值漂移小、适配 SMT 高速量产,主要用于车身控制器、车载传感器、座舱电子、车载 DC‑DC 回路。

车规级电容 0805 470pF 50V C0G ±5%

车规级电容 0805 470pF 50V C0G ±5%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用 C0G 一类温度补偿陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载高频信号回路、传感器匹配、谐振滤波,核心优势温漂极小、无偏压容值衰减、低损耗、抗振动冲击、适配 SMT 高速量产,主要用于自动驾驶模块、车载射频、信号采样、精密调理回路。

车规级电容 0805 2.2μF 50V X5R ±20%

车规级电容 0805 2.2μF 50V X5R ±20%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用高可靠钛酸钡陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载 ECU、BMS、车灯模块电源去耦滤波,核心优势宽温稳定、抗振动冲击、耐车载恶劣工况、容值漂移小、适配 SMT 高速量产,主要用于车身控制器、车载传感器、座舱电子、车载 DC‑DC 回路。

车规级电容 0805 1nF 50V C0G ±5%

车规级电容 0805 1nF 50V C0G ±5%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用 C0G 一类温度补偿陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载雷达、ADAS、谐振回路、精密信号采样,核心优势温漂极小、无偏压容值衰减、低损耗、抗振动冲击、适配 SMT 高速量产,主要用于自动驾驶模块、车载传感器、OBC 板、精密信号调理回路。

车规级电容 0805 22nF 100V X7R ±10%

车规级电容 0805 22nF 100V X7R ±10%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用高可靠钛酸钡陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载 ECU、BMS、车灯模块电源去耦滤波,核心优势宽温稳定、抗振动冲击、耐车载恶劣工况、容值漂移小、适配 SMT 高速量产,主要用于车身控制器、车载传感器、座舱电子、车载 DC‑DC 回路。

车规级电容 0805 4.7μF 25V X7R ±20%

车规级电容 0805 4.7μF 25V X7R ±20%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用高可靠钛酸钡陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载 ECU、BMS、车灯模块电源去耦滤波,核心优势宽温稳定、抗振动冲击、耐车载恶劣工况、容值漂移小、适配 SMT 高速量产,主要用于车身控制器、车载传感器、座舱电子、车载 DC‑DC 回路。

车规级电容 0805 100nF 50V X7R ±10%

车规级电容 0805 100nF 50V X7R ±10%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用高可靠钛酸钡陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载 ECU、BMS、车灯模块电源去耦滤波,核心优势宽温稳定、抗振动冲击、耐车载恶劣工况、容值漂移小、适配 SMT 高速量产,主要用于车身控制器、车载传感器、座舱电子、车载 DC‑DC 回路。

5G 基站车规级 1210 22μF 100V X7R ±10% 贴片电容

5G 基站车规级 1210 22μF 100V X7R ±10% 贴片电容

PAGOODA1210 封装 22μF 100V X7R ±10% 5G 基站车规级 MLCC 采用加厚大容量高压陶瓷介质多层共烧工艺,三层加宽加固防硫化镍铜锡复合端头,同步通过 AEC-Q200 Grade2 完整车规可靠性测试与通信设备十年长效老化验证,适配大功率 5G 宏基站、商用车载 5G 终端高压供电回路,核心优势超大容值、100V 高压冗余、耐超大纹波电流、低温升低 ESR、宽温容量衰减小、抗剧烈振动潮湿腐蚀、适配全自动高速 SMT 量产,多用于大功率 AAU 整机储能滤波、基站高压 DC-DC 稳压、车载 OBC 通信辅助电源、大型边缘计算机箱 EMI 抑制电路。

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