1、专为 AI 眼镜场景设计，采用先进沟槽工艺 + 小型化封装，低导通电阻、低栅极电荷、抗振动，适配 AI 眼镜紧凑空间、低功耗、长期穿戴等复杂场景，可靠性符合穿戴设备标准； 2、0402 标准封装（1.0×0.5mm），体积小巧，适配 AI 眼镜 PCB 高密度布局，兼容高精度自动化贴片工艺，满足大批量生产需求，安装便捷； 3、N 沟道增强型，耐压 20V，连续电流 1A，导通电阻 Rds (on)≤80mΩ，参数一致性强，开关损耗小、响应快，可精准实现功率控制与电源管理； 4、宽温工作范围 - 55℃~+125℃，覆盖 AI 眼镜户外、室内全使用环境，性能稳定不衰减，适配穿戴设备复杂温变工况； 5、低功耗、低发热、抗干扰能力强，适配 AI 眼镜主控、传感器、无线通信、显示驱动等模块供电控制，助力设备长续航、高稳定性。

1、专为储能领域 MOSFET 驱动设计，采用厚膜精密工艺 + 低噪声材质，抗干扰、耐温变、防老化，适配储能变流器（PCS）、大功率电源模块、电池管理系统（BMS）等高频驱动场景，工作稳定性强； 2、0603 标准封装（1.6×0.8mm），体积小巧，适配储能驱动板紧凑布局，兼容自动化贴片工艺，满足大批量生产需求； 3、标称阻值 100Ω，阻值精度 ±1%（F 级），参数一致性强，可精准限制 MOSFET 栅极充电电流，避免栅极过流损坏，保障开关动作平稳； 4、宽温工作范围 - 55℃~+125℃，覆盖储能设备全工况温度区间，阻值温度系数（TCR）±50ppm/℃，阻值随温度变化小，高频驱动环境下性能稳定； 5、低寄生电感与电容，响应速度快，可匹配储能高频开关 MOSFET 的驱动需求，减少开关损耗，提升电路转换效率。

1、专为储能领域设计，采用双向瞬态抑制结构，响应速度快（≤1ns），抗浪涌、耐老化，适配储能集装箱、光伏逆变器、户外储能设备等复杂运行环境，防护性能稳定； 2、SMA 封装（DO-214AC），适配储能 PCB 紧凑布局，兼容自动化贴片工艺，满足大批量生产需求； 3、反向击穿电压 18V，钳位电压 33V，峰值脉冲功率 400W，参数一致性强，可快速吸收电路瞬时过压浪涌，避免核心元器件损坏； 4、宽温工作范围 - 55℃~+150℃，覆盖储能设备全工况温度区间，在极端高低温环境下仍能保持稳定防护性能； 5、符合车规级可靠性标准，绝缘性能优异，耐振动、抗冲击，可适应储能设备运输与安装过程中的复杂工况。

大功率N沟MOS管 型号：STP80NF10 封装：TO-220 FET类型：场效应MOS管 漏源电压（Vdss）：100 漏极电流(Id)：80A 漏源导通电阻(RDS On)：10 栅源电压(Vgs)：100 栅极电荷(Qg)：100 反向恢复时间：2S 最大耗散功率：80（mW） 工作温度范围：-55℃～+125℃ 安装类型：直插 应用领域：家用电器,汽车电子,智能家居等... 电子元器件专业配单

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

MOS管的工作原理：利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管 沟道类型：N型沟道 导电方式：增强型 适合频率：高频 材质：N-FET硅 工作电压：600V

mos管的封装有： TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3 不同封装，对应的极限电流，电压及散热效果会不同。详细了解可与客服咨询。

Mos管工厂生产直营，持续大量供货，同时对品质把控严谨，采购量大，价格上可给到一定优势！

平尚科技主营贴片类晶体管系列，主要类别有：贴片二极管、贴片三极管、场效应管和MOS管。欢迎来询，期待与您达成共识！

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作用：整流、检波、稳压、电压电流放大、振荡、阻抗变换 平尚科技全系列贴片电子元器件，mos管等产品，凭借多年行业经验及优质服务，赢得市场口碑，成为广大客户的选择，品类多，价格优，欢迎前来咨询。