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去耦电容和旁路电容的区别，您了解多少?

文章出处：常见问题 网责任编辑：东莞市平尚电子科技有限公司 阅读量： 发表时间：2021-03-16 08:42:06

通常电感较大，谐振频率较小，容量为uf级的电容，例如电解电容钽电容，它们对低频信号通过较好，但是对高频信号，则会有较强的电感性，阻抗较大，大电容还可以减少局部的干扰通过电源耦合出去；陶瓷电容或云母电容容量通常为0.001~0.1uf的电容，可以为高频干扰信号提供一条旁路，减少外界对该局部的耦合干扰，它的电感小，谐振频率高，对高频信号的阻抗也比较小

去耦电容在集成电路电源和地之间的作用：

是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。

数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。电容的分布电感的典型值是5μH。

0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，

对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。

1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。

去耦电容的选用不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。