400-003-5559
EN
×
碳化硅器件普及下，车规电感的高频噪声抑制技术路径
随着碳化硅（SiC）器件在新能源汽车电驱与快充模块中的大规模应用，其MHz级开关频率带来的高频噪声（100kHz~10MHz）成为EMI设计的核心挑战。传统铁氧体电感因磁芯损耗激增（＞100mW/cm³@1MHz）与频带响应不足（-3dB带宽＜500kHz），难以满足SiC器件的高效滤波需求。东莞市平尚电子科技有限公司（平尚科技）通过纳米晶合金磁芯、三维绕线工艺与系统级集成设计，为车载电源模块提供宽频带、低损耗的电感解决方案，重塑高频噪声抑制的技术边界。
碳化硅器件的高频噪声挑战与电感技术瓶颈
SiC MOSFET的开关速度可达硅基IGBT的10倍（dv/dt＞50V/ns），但其陡峭的开关边沿会引发高达10MHz的共模噪声，导致车载摄像头、雷达等传感器的信噪比（SNR）下降。例如，某800V电驱平台的EMI测试显示，传统电感在1MHz频点的插入损耗仅15dB，而平尚科技通过复合磁芯材料与分布式气隙设计，将插入损耗提升至40dB，噪声幅值降低60%。
平尚科技的高频噪声抑制技术路径
材料创新：低损耗纳米晶磁芯
平尚科技采用铁基纳米晶带材（厚度18μm），通过快速凝固技术形成非晶/纳米晶复合结构，磁导率（μ=80,000）较铁氧体提升5倍，高频损耗（1MHz下＜30mW/cm³）降低70%。结合环氧树脂浸渍工艺，磁芯耐温等级达200℃，适配SiC模块的高温工况。
结构优化：多频段响应与集成化设计
分段式绕组：采用利兹线多股绞合与层叠绕线技术，将交流电阻（ACR）降至传统设计的1/3，1MHz下Q值＞150；
集成EMI滤波模组：将电感、电容与磁珠集成于6mm×6mm封装内，插入损耗带宽扩展至10MHz，适配OBC（车载充电机）与DC-DC模块的紧凑化需求。
可靠性验证与参数对比
应用场景：从实验室到量产落地
比亚迪800V电驱平台：平尚电感方案使DC-DC模块的传导噪声（150kHz~30MHz）通过CISPR 25 Class 5标准裕量提升10dB；
蔚来超充桩电源模块：集成化滤波模组将体积缩小40%，温升降低25℃，充电效率提升至98%。
技术前瞻：智能化与宽禁带协同
平尚科技正研发集成电流传感器的智能电感模组，通过SPI接口实时反馈磁芯温度与饱和状态，动态调整PWM频率以优化EMI性能。其GaN（氮化镓）兼容电感原型采用铜石墨烯复合基板，工作频率突破5MHz，适配下一代1200V SiC器件的超高频需求。
平尚科技通过材料、结构与系统设计的全链创新，为碳化硅时代的高频噪声抑制提供了可落地的技术答案。从纳米晶磁芯的低损耗特性到多频段响应的集成化设计，其方案不仅突破了传统电感的性能极限，更通过实测验证与前瞻布局，为新能源汽车的高效与可靠运行筑牢底层硬件基石。未来，随着宽禁带器件向更高频段演进，平尚科技将持续引领电感技术向“高频化”“智能化”“高密度”方向突破，赋能电动出行的静音革命。
首页
产品中心
关于我们
一键呼我
回顶