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MOS管是一个ESD敏感器件，输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以易受外界电磁场或静电的感应而带电，且在静电较强的场合难于泄放电荷，随意容易引起静电击穿。
静电击穿有两种方式：
电压型：即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；
功率型：即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。
静电的基本物理特征为：
1.有吸引或排斥的力量;
2.有电场存在，与大地有电位差;
3.会产生放电电流。
这三种情形即ESD一般会对MOS管造成以下三种情形的影响：
1)元件吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响元件的功能和寿命;
2)因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使元件不能工作(完全破坏);
3)因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使元件受伤，虽然仍能工作，但是寿命受损。
所以ESD对MOS管的损坏可能是一，三两种情况，并不一定每次都是第二种情况。
上述这三种情况中，如果元件完全破坏，在生产及品质测试中就可以被察觉排除，影响较少。
如果元件轻微受损，在正常测试中不易被发现，在这种情形下，常会因经过多次加工，甚至已在使用时，才被发现破坏，不但检查不易，而且损失亦难以预测。静电对电子元件产生的危害不亚于严重火灾和爆炸事故的损失。
MOS管及产品在什么情况下会遭受静电破坏？
可以这么说：电子产品从生产到使用的全过程都遭受静电破坏的威胁。从器件制造到插件装焊、整机装联、包装运输直至产品应用，都在静电的威胁之下。
在整个电子产品生产过程中，每一个阶段中的每一个小步骤，静电敏感元件都可能遭受静电的影响或受到破坏，而实际上主要而又容易疏忽的一点却是在元件的传送与运输的过程。
在这个过程中，运输因移动容易暴露在外界电场(如经过高压设备附近、工人移动频繁、车辆迅速移动等)产生静电而受到破坏，所以传送与运输过程需要特别注意，以减少损失，避免无所谓的纠纷。
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