400-003-5559
EN
×
HW5.0平台：车规电容在FSD芯片供电模块的实测效能
随着汽车智能化向L4级迈进，HW5.0平台搭载的FSD芯片算力突破200TOPS，瞬时功耗高达300W，供电网络的毫秒级电压波动（ΔV＞5%）可能导致芯片逻辑异常甚至失效。平尚科技基于AEC-Q200车规认证体系，通过电容材料、结构设计与实测验证的全链路创新，为FSD芯片提供“低损耗-高响应-长寿命”的供电解决方案。
FSD芯片供电的核心挑战
FSD芯片需在纳秒级响应中处理多传感器数据，其供电模块的瞬态电流峰值超200A，传统铝电解电容因ESR高（＞30mΩ）、高频特性差，面临三大瓶颈：
纹波电压失控：100kHz下纹波峰峰值（Vpp）＞500mV，导致芯片内部逻辑电压阈值漂移，误码率提升；
低温容量衰减：-40℃冷启动时，液态电解电容容量骤降40%，引发供电不足；
空间占用矛盾：多颗大容量电容并联导致PCB面积增加50%，与HW5.0平台的高密度集成需求冲突。
以某车企HW5.0平台为例，其FSD芯片在高温测试中因电容温升过高（＞105℃）触发过温保护，智驾功能降级。
平尚科技的车规电容技术突破
平尚科技以AEC-Q200认证为质量基准，从材料到系统重构供电设计：
导电聚合物技术：采用聚吡咯/碳纳米管复合阴极，ESR低至5mΩ（@100kHz），较传统电解电容降低80%，纹波电流耐受能力提升至15A_rms；
仿生蜂窝结构：在φ8mm封装内实现多极板立体堆叠，容量密度达300μF/mm³，支持单颗电容1000μF/25V配置，PCB空间占用减少60%；
智能健康监测：在电容内部集成微型电压-温度传感器，实时数据通过CAN-FD上传至域控制器，动态调整充放电策略，电压波动抑制效率提升至95%。
HW5.0平台实测效能对比
在HW5.0平台FSD芯片供电模块的对比测试中，平尚科技方案表现显著优于行业基准：
低温性能：-40℃冷启动时容量保持率＞98%（竞品＜60%），电压恢复时间＜5ms；
高温稳定性：125℃满载运行1000小时，容值衰减＜±2%（竞品＞±10%），ESR增长＜8%；
空间效率：采用0805封装电容阵列，单位面积储能密度提升至500μF/cm²，功耗降低30%。
行业案例：某车企FSD芯片供电整改
某车企HW5.0平台在极端路试中频繁触发供电报警，平尚科技为其定制方案：
电容选型：部署12颗1206封装车规电容（ESR=6mΩ），总容量12000μF，形成低阻抗储能网络；
散热优化：在电容组底部集成氮化铝陶瓷散热基板（热导率170W/m·K），满载温升从45℃降至18℃；
实测效果：纹波电压Vpp从600mV压降至180mV，FSD芯片算力稳定性达99.99%，通过ISO 16750-4振动与ISO 11452-4 EMC测试。
未来方向：AI协同供电管理
平尚科技正研发：
数字孪生供电系统：基于FSD芯片负载曲线训练AI模型，预测电压波动并提前补偿，响应延迟＜1μs；
异构集成电容模组：将电容、电感、MOSFET集成于10×10mm封装，支持500A峰值电流输出，适配下一代HW6.0平台需求。
本文以HW5.0平台FSD芯片的供电需求为切入点，通过车规级电容材料创新与智能管理技术，实现纹波抑制、低温性能与空间效率的全面提升，结合AEC-Q200认证体系，为智驾系统提供高可靠性电源解决方案。
首页
产品中心
关于我们
一键呼我
回顶