2026 年下半年，800G 光模块成为主力量产规格，1.6T 开始小批量商用。算力负载从训练转向推理，交换芯片之间的互连带宽跟着往上走。今年 9 月的一场行业峰会上，有厂商汇总了多个 800G 与 1.6T 方案的 BOM，单只模块的MLCC 用量从两百颗量级抬到五百至一千颗。用量涨，空间没涨。光模块的 PCB 还没有一张名片大，器件往 0201、01005 甚至 008004 走。壳温也没降，商用档模块的外壳温度上限常标到 70 摄氏度，工业档到 85 摄氏度，壳里 DSP 周边还要再高一截。三条线一起挤，留给选型的余量就不多了。
先分清三个位置。 模块里的 MLCC 集中在三处，PCB 的电源线、PCB 的高速信号线、TOSA 与 ROSA 内部的电源线。三处的要求不一样。电源线看工作点容值与纹波电流，信号线看寄生参数与容值拐点，收发组件内部看尺寸与耐温。一套参数套三处，多半有一处不够。
第一项，算工作点容值。 光模块里常用的额定电压是 4V、6.3V、10V，供电轨多为 1.8V 与 3.3V，偏压比例看着不高。但 0201 封装上的 1µF、2.2µF 高容料，介电常数高，1.8V 下掉两三成很常见，叠上 70 摄氏度以上的环境还要再掉一截。判据只有一条，工作电压与工作温度下的有效容值不低于设计目标的七成。查曲线要看工作点，不看额定点。
第二项，核纹波自热。 DSP、Driver、TIA 的瞬态电流斜率比上一代陡，去耦电容要在纳秒级窗口里补电流，等效串联电阻与纹波电流能力就成了硬指标。规格书上的 Irms 通常在 25 摄氏度、温升 40K 的条件下给出。模块内小环境已经 70 摄氏度以上，这条额定值不能照抄。工程上按额定的六到七成用，再拿热像仪测满载时的电容表面温度，把温升压在 20K 以内。
第三项，看介质温度档，这一项容易越线。 X5R 的上限是 85 摄氏度。壳温 70 摄氏度，加 20K 自热，正好 90 摄氏度，越过 85 摄氏度的上限了。所以光模块里 1µF 以上的去耦，温度档要往 X6S 走，105 摄氏度；靠近热源的位置直接用 X7R 或 X7S，125 摄氏度。选型表上只写容值与耐压，不写温度档，问题往往就从这里开始。
第四项，验高速链路的耦合电容。 高速信号线上串的那颗隔直电容，容值决定低频拐点。100nF 配 50 欧姆端接，拐点在 32kHz 附近；为了省空间砍到 10nF，拐点上移到 300kHz 以上，碰上长串连零的码型，基线漂移就出来了，误码率跟着上去。这颗料要选低损耗介质与小封装，01005 的寄生比 0201 低，自谐振频率更高；PCB 上要让参考平面连续，不要在电容下方挖空。
还有一项常被跳过，批次一致性。 01005 的端头只有零点几毫米，可焊性与端头附着力对来料波动更敏感。同一料号换批次，容值分布与端头镀层都可能变。常见的做法是锁定料号与批次，来料做可焊性抽检，产线做首件 X-Ray。这一条不属于电气验证，出了问题却常常算在来料头上。四项验完再上板，比做完样机再改板便宜。 光模块的板子小，改一版布局，打样费只是小头，重新认证与重新送样才是大头。把这四项写进选型评审表，一颗电容的事，就不会拖成一次批量返工。
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