PAGOODA 高容 1206 1μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。

PAGOODA 高容 1206 3.3μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。

PAGOODA 高容 1206 15μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。

PAGOODA 高容 1206 6.8μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。

PAGOODA 高容 1206 33μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。

PAGOODA 高容 MLCC1206 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。

PAGOODA高容 MLCC1206 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。

PAGOODA高容 MLCC1206 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。

PAGOODA2220 封装中高压 MLCC 采用加厚高压陶瓷介质多层共烧工艺，三层镍铜锡复合端头密封防护，是大功率工业 AC-DC、大功率车载 OBC、光伏逆变器、大功率储能电源高压回路核心元器件，核心优势超高耐压余量、超大纹波耐受、低直流偏压衰减、强抗浪涌能力、适配全自动 SMT 量产，多用于大功率整流侧高压滤波、开关尖峰吸收、整机 EMI 抑制、高低压隔离耦合电路。

PAGOODA0805 封装中高压 MLCC 采用薄层高压陶瓷介质多层共烧工艺，三层镍铜锡复合端头密封防护，是小型 AC-DC 适配器、便携 PD 快充、小型车载模组、迷你工控板高压回路核心元器件，核心优势体积小巧、耐压规格齐全、容压衰减小、抗瞬时电压浪涌、适配全自动 SMT 贴片量产，多用于市电整流侧小型滤波、尖峰脉冲吸收、EMI 杂波抑制、低压控制板高压耦合电路。

PAGOODA1808 封装中高压 MLCC 采用加厚高压陶瓷介质多层共烧工艺，三层镍铜锡复合端头密封防护，是大功率 AC-DC 电源、大功率 PD 快充、车载充电机、光伏微型逆变器高压回路核心元器件，核心优势耐压储备充足、耐大纹波电流、容压衰减小、抗高压浪涌、适配全自动 SMT 量产，多用于市电整流高压滤波、开关尖峰吸收、EMI 噪声抑制、高低压隔离耦合电路。

PAGOODA1206 封装中高压 MLCC 采用高密度高压陶瓷粉体多层共烧成型，三层复合金属端头密封防护，是 AC-DC 适配器、PD 快充、小型车载电源、微型逆变器高压回路核心元器件，核心优势耐压覆盖范围广、容压衰减低、耐纹波电流、抗瞬时浪涌、适配全自动 SMT 贴片量产，多用于市电整流后高压滤波、尖峰脉冲吸收、EMI 噪声抑制、高低压信号耦合回路。