板上按常规配了 10 微法加 0.1 微法，看着很稳。EMI 测试却在一个频点上超标，把那颗 0.1 微法拆掉，同一点上的噪声反而降了，而那颗料单测参数却是正常的。原因在电容不是纯容性。贴片电容的等效电路是电容串 ESR 再串 ESL，三者构成串联谐振。谐振点上阻抗最低，只剩 ESR；越过这个点整体呈感性，频率越高阻抗越大，这个拐点就是自谐振频率。
一颗电容在自谐振频率附近最有效，过了这个点就失效。常规做法是大容值管低频、小容值管高频。问题出在两颗的接缝处：大电容过了自谐振点已经是电感，小
电容在那一段还是电容，一颗电感并一颗电容，构成并联谐振。这个频点上的阻抗不降反升，就是反谐振峰。
峰高由两颗的 ESR 决定，这里有一处反直觉：ESR 越小，峰越尖。陶瓷电容的 ESR 只有几十毫欧，并联后那一段的阻抗能被抬到远超单颗的水平。把其中一颗换成 ESR 大些的电解或钽电容，峰反而被压平，阻尼来自损耗。危害取决于峰落在哪。开关频率或某次谐波若落在峰上，这一段不但滤不掉，还会被放大。板子上表现为某段频点的传导发射超标，随手换颗容值、换家供应商都不见效，因为动的是料，没动峰的位置。
第一处改法是收窄容值跨度。相邻两档的容值差控制在一个数量级以内，反谐振峰互相填平，留不下尖峰。差上两个数量级，比如 10 微法与 0.1 微法直接并联，中间的峰就很明显。
第二处改法是同容值多颗并联。同一容值、同一封装的多颗并联，自谐振点重合，只有阻抗被拉低，不新增峰。要压住某个频段，多颗同容值铺开比换容值有效；要覆盖宽频段，仍得回到容值跨度上。
第三处是加阻尼。在容易起峰的支路上串一颗小阻值电阻，或保留一颗 ESR 较大的电解承担低频储能。代价是那一小段高频旁路变弱，够不够用要拿曲线说话。
核算落到曲线上。手头没有矢量网络分析仪，先用规格书的阻抗曲线估出两颗的自谐振点，看超标频点是否落在两者之间。有仪器就走实测：先算目标阻抗，用允许的纹波电压除以负载瞬态电流，得到全频段要守住的那条线，再加隔直电容，量电容安装点对地的阻抗，扫到 100 兆赫。判据只有一条：整条曲线不越过目标阻抗线。
单看某颗电容的自谐振频率，说明不了这块板好不好。多颗并联的板子，答案在那条曲线上，不在任何一颗的参数表里。
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