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MLCC 1210 220nF 50V X7R ±10%

MLCC 1210 220nF 50V X7R ±10%

PAGOODA1210 封装 220nF 50V X7R ±10% MLCC 采用高稳定性钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,适配工业控制、车载电控、通信电源、伺服驱动各类中低压电源与信号滤波电路。核心优势:1210 大封装散热性能优良、50V 额定耐压余量充足、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值变化平缓、防潮抗硫化、耐无铅高温回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于主控芯片电源去耦、DC-DC 回路稳压、车载传感器信号缓冲、高频杂波吸收、工控主板 EMI 噪声抑制电路。

MLCC 1210 150nF 25V X7R ±10%

MLCC 1210 150nF 25V X7R ±10%

PAGOODA1210 封装 150nF 25V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质,多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,广泛适配车载电子、工业工控、开关电源、通信模块通用电源与信号滤波电路。核心优势为 1210 大封装散热优异、25V 标准耐压通用性强、低 ESR 低介质损耗、-55℃~125℃容值波动小、防潮抗硫化、耐受无铅高温回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 批量贴装,常用于芯片供电去耦、DC-DC 稳压缓冲、车载传感器稳压、线路高频杂波抑制、适配器纹波吸收回路。

MLCC 1210 680nF 50V X7R ±10%

MLCC 1210 680nF 50V X7R ±10%

PAGOODA1210 封装 680nF 50V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向工业控制、车载电子、通信电源、伺服驱动等中低压滤波去耦电路开发。核心优势:1210 大封装散热优秀、50V 耐压安全余量充足、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容量变化平缓、防潮抗硫化、适配无铅高温回流焊、耐冷热循环与机械振动、适配高速全自动 SMT 量产,多用于芯片供电去耦、DC-DC 回路稳压、车载传感器缓冲、高频杂波吸收、工控板 EMI 降噪电路。

MLCC 1210 330nF 25V X7R ±10%

MLCC 1210 330nF 25V X7R ±10%

PAGOODA1210 封装 330nF 25V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧工艺,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,适配车载电控、开关电源、工业控制、通信模块通用滤波去耦电路。核心优势:1210 大封装散热性能佳、25V 标准耐压适配广、低 ESR 低介质损耗、-55℃~125℃容值波动平缓、防潮抗硫化、耐无铅回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于电源回路滤波、芯片电源去耦、车载传感器缓冲、高频 EMI 杂波抑制、升降压电路稳压。

MLCC 1210 2.2μF 16V X7R ±10%

MLCC 1210 2.2μF 16V X7R ±10%

PAGOODA1210 封装 2.2μF 16V X7R ±10% MLCC 采用高介电钛酸钡陶瓷介质,多层高纯镍内电极高温共烧成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,专为车载电控、快充电源、便携储能、工业驱动板电源滤波场景研发。核心优势:1210 大封装储能充足、等效串联 ESR 低、宽温容值衰减平缓、防潮耐腐蚀、耐无铅高温回流焊、抗振动冷热冲击、适配高速全自动 SMT 量产,广泛用于电源输入输出滤波、DC-DC 升降压稳压、锂电池缓冲稳压、电机 EMI 噪声抑制、适配器纹波吸收电路。

MLCC 1210 100nF 50V X7R ±10%

MLCC 1210 100nF 50V X7R ±10%

PAGOODA1210 封装 100nF 50V X7R ±10% MLCC 采用稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,适用于工业控制、车载电子、通信电源、智能家居各类通用信号、电源去耦电路。核心优势:1210 大封装散热佳、50V 耐压适用性广、低 ESR 低介质损耗、-55℃~125℃容值变化平缓、防潮抗硫化、耐高温无铅回流焊、抗振动冷热循环、适配全自动高速 SMT 批量贴装,多用于主控芯片去耦、电源回路滤波、传感器稳压缓冲、线路高频杂波抑制、DC-DC 输出降噪电路。

MLCC 1210 0.1μF 100V X7R ±5%

MLCC 1210 0.1μF 100V X7R ±5%

PAGOODA1210 封装 0.1μF 100V X7R ±5% MLCC 采用高稳定性钛酸钡陶瓷介质、多层纯镍内电极高温共烧工艺,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向工业控制、车载电控、通信设备高压信号回路研发。核心优势:1210 大封装耐压余量充足、高精度容值、低 ESR 低损耗、-55℃~125℃容量波动平缓、防潮抗硫化、耐高温回流焊、耐冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于高压电源去耦、主控芯片信号滤波、工业驱动 EMI 抑制、车载传感器稳压、通信模块高频降噪电路。

MLCC 1210 4.7μF 25V X7R ±10%

MLCC 1210 4.7μF 25V X7R ±10%

PAGOODA1210 封装 4.7μF 25V X7R ±10% MLCC 采用高介电钛酸钡陶瓷介质、多层镍内电极高温共烧工艺,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,针对大功率快充电源、车载电控、工业伺服、储能设备滤波稳压电路开发。核心优势为 1210 大封装储能强、等效串联电阻 ESR 低、-55℃~125℃容值衰减平缓、防潮防硫化、耐无铅高温回流焊、抗振动冷热冲击、适配高速全自动 SMT 量产,多用于电源输入输出滤波、DC-DC 升降压稳压、车载电池回路纹波抑制、工业电机 EMI 降噪、储能设备电压缓冲电路。

MLCC 1210 1μF 50V X7R ±10%

MLCC 1210 1μF 50V X7R ±10%

PAGOODA1210 封装 1μF 50V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层纯镍内电极高温共烧工艺,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向工业控制板、车载电控、通信电源、伺服驱动高低压滤波场景研发。核心优势:1210 大封装耐压余量充足、低 ESR 低损耗、宽温容量衰减平缓、防潮抗硫化、耐高温回流焊、抗冷热循环与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于高低压电源滤波、信号回路稳压、工业电机 EMI 降噪、车载传感器缓冲、通信模块纹波抑制电路。

MLCC 1210 22μF 25V X7R ±20%

MLCC 1210 22μF 25V X7R ±20%

PAGOODA1210 封装 22μF 25V X7R ±20% MLCC 采用高介电钛酸钡陶瓷介质、多层镍内电极共烧工艺,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向大功率开关电源、车载电控系统、储能设备、工业驱动板滤波稳压场景开发。核心优势为大封装大容量、低等效串联电阻 ESR、宽温容值衰减平稳、防潮抗硫化、耐无铅回流焊、抗振动冷热冲击、适配高速全自动 SMT 贴片量产,多用于电源输入输出滤波、DC-DC 升降压稳压回路、车载电池供电降噪、工业电机 EMI 抑制、快充设备电压缓冲电路。

MLCC 1210 10μF 16V X7R ±10%

MLCC 1210 10μF 16V X7R ±10%

PAGOODA1210 封装 10μF 16V X7R ±10% MLCC 多层陶瓷电容采用高介电钡钛陶瓷介质、多层内电极叠烧工艺,搭配镍铜锡三层防护端头,专为大功率开关电源、车载电控、储能设备、工业驱动板滤波稳压设计。核心优势:1210 大容量封装、容值充足、等效串联电阻 ESR 低、温变特性平稳、耐湿抗硫化、耐受高温回流焊、抗振动冲击、适配全自动高速 SMT 量产,多用于电源输入输出滤波、DC-DC 降压稳压、车载电池回路降噪、工业电机驱动 EMI 抑制、快充储能缓冲电路。

贴片高频电感 0402 1.5μH 50V ±5%

贴片高频电感 0402 1.5μH 50V ±5%

PAGOODA0402 封装 1.5μH 50V ±5% 贴片高频电感采用低损耗高频铁氧体磁芯,超细高纯度无氧铜密绕绕组搭配全包覆环氧树脂密封结构,面向微型 5G 射频板、车载小型通信模组、TWS 耳机、便携穿戴设备高频信号电路研发。核心优势为微型省空间、高自谐振频率、Sub-6G 频段低磁损耗、低直流电阻温升小、防潮抗振、适配微小元件高速 SMT 贴装,广泛用于天线阻抗匹配、射频 LC 滤波、车载传感信号隔离、小型光模块谐振、微型基站 EMI 噪声抑制回路。

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