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高容 1206 15μF 25V X7R ±10%

高容 1206 15μF 25V X7R ±10%

PAGOODA 高容 1206 15μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺,高纯镍内电极,抗硫化三层镍铜锡端头,无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板,实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能,可部分替代小型铝电解与钽电容。

高容 1206 6.8μF 25V X7R ±10%

高容 1206 6.8μF 25V X7R ±10%

PAGOODA 高容 1206 6.8μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺,高纯镍内电极,抗硫化三层镍铜锡端头,无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板,实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能,可部分替代小型铝电解与钽电容。

高容 1206 33μF 16V X7R ±20%

高容 1206 33μF 16V X7R ±20%

PAGOODA 高容 1206 33μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺,高纯镍内电极,抗硫化三层镍铜锡端头,无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板,实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能,可部分替代小型铝电解与钽电容。

高容 1206 22μF 16V X7R ±20%

高容 1206 22μF 16V X7R ±20%

PAGOODA 高容 MLCC1206 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺,高纯镍内电极,抗硫化三层镍铜锡端头,无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板,实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能,可部分替代小型铝电解与钽电容。

高容 1206 10μF 25V X7R ±10%

高容 1206 10μF 25V X7R ±10%

PAGOODA高容 MLCC1206 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺,高纯镍内电极,抗硫化三层镍铜锡端头,无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板,实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能,可部分替代小型铝电解与钽电容。

高容 1206 4.7μF 50V 10% X7R

高容 1206 4.7μF 50V 10% X7R

PAGOODA高容 MLCC1206 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺,高纯镍内电极,抗硫化三层镍铜锡端头,无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板,实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能,可部分替代小型铝电解与钽电容。

0805 470PF 50V K X7R

0805 470PF 50V K X7R

适配各类数字与模拟电路,核心用于电源去耦、高频噪声抑制、信号旁路耦合,是工业及消费电子主板中通用性极强的 MLCC 物料。

0805 100NF 50V K X7R

0805 100NF 50V K X7R

适配各类数字与模拟电路,核心用于电源去耦、高频噪声抑制、信号旁路耦合,是工业及消费电子主板中通用性极强的 MLCC 物料。

1210 10UF 50V K X7R

1210 10UF 50V K X7R

工业电源贴片电容1210 X7R 10UF 50V K,10μF大容量搭配50V额定耐压,X7R介质拥有优秀宽温稳定特性,主要用于电源输入输出稳压滤波、大功率芯片电源去耦、瞬态电流储能缓冲,是工控与通信电源方案热门选型物料。

0603 10NF 50V K X7R

0603 10NF 50V K X7R

适配各类数字与模拟电路,核心用于电源去耦、高频噪声抑制、信号旁路耦合,是工业及消费电子主板中通用性极强的 MLCC 物料。

0603 100NF 50V K X7R

0603 100NF 50V K X7R

适配各类数字与模拟电路,核心用于电源去耦、高频噪声抑制、信号旁路耦合,是工业及消费电子主板中通用性极强的 MLCC 物料。

1812 10NF 3KV K X7R

1812 10NF 3KV K X7R

高压电源贴片电容1812 X7R 10NF 3KV K,0.01μF标准容值搭配3000V超高直流耐压,X7R介质宽温性能稳定,主要用于高压开关回路尖峰吸收、高频噪声滤除、高压端口隔离旁路,是工业高压电源、逆变器方案里通用性很强的高压MLCC。

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