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MLCC 1206 4.7μF 16V X7R ±20%

MLCC 1206 4.7μF 16V X7R ±20%

PAGOODA1206 封装 4.7μF 16V X7R ±20% MLCC 采用高介电钛酸钡陶瓷介质,多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向快充电源、车载电控、便携储能、工业驱动电源滤波场景打造。核心优势:1206 主流封装兼顾 PCB 空间与储能能力、16V 标准耐压应用广泛、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值变化平缓、防潮抗腐蚀、适配无铅高温回流焊、耐冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,广泛用于电源输入输出滤波、DC-DC 升降压稳压、锂电池回路缓冲、电机 EMI 噪声抑制、适配器纹波吸收电路。

MLCC 1206 3.3μF 16V X7R ±10%

MLCC 1206 3.3μF 16V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 3.3μF 16V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向车载电子、开关电源、工业伺服、通信模块电源滤波与芯片去耦场景开发。核心优势:1206 主流封装平衡 PCB 空间与纹波承载能力、16V 标准耐压适配广泛、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值变化平缓、防潮抗硫化、耐受无铅高温回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于电源输入输出滤波、DC-DC 升降压稳压、主控芯片去耦、车载传感电压缓冲、线路高频杂波抑制电路。

MLCC 1206 2.2μF 25V X7R ±10%

MLCC 1206 2.2μF 25V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 2.2μF 25V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向车载电子、开关电源、工业伺服、通信模块电源滤波与芯片去耦场景开发。核心优势:1206 主流封装平衡 PCB 空间与纹波承载能力、25V 标准耐压适配广泛、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值变化平缓、防潮抗硫化、耐受无铅高温回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于电源输入输出滤波、DC-DC 升降压稳压、主控芯片去耦、车载传感电压缓冲、线路高频杂波抑制电路。

MLCC 1206 1μF 50V X7R ±10%

MLCC 1206 1μF 50V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 1μF 50V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向车载电子、开关电源、工业伺服、通信模块电源滤波与芯片去耦场景开发。核心优势:1206 主流封装平衡 PCB 空间与纹波承载能力、50V 中压耐压安全余量充足、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值变化平缓、防潮抗硫化、耐受无铅高温回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于电源输入输出滤波、DC-DC 升降压稳压、主控芯片去耦、车载传感电压缓冲、线路高频杂波抑制电路。

MLCC 1206 10nF 50V X7R ±10%

MLCC 1206 10nF 50V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 10nF 50V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向工业控制、车载电控、通信模块高频信号回路、低压电源滤波场景开发。核心优势:1206 主流封装布局灵活、50V 额定耐压余量充足、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值波动平缓、防潮抗硫化、耐无铅高温回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于高频信号耦合、芯片电源去耦、车载传感器缓冲、线路高频杂波抑制、控制板 EMI 降噪电路。

MLCC 1206 22nF 100V X7R ±5%

MLCC 1206 22nF 100V X7R ±5%

PAGOODA1206 封装 22nF 100V X7R ±5% MLCC 采用高稳定性钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧工艺,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向工业控制单元、车载电控、通信设备高压信号线路开发。核心优势:1206 主流封装布局灵活、100V 高压安全余量充足、±5% 高精度、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值波动平缓、防潮抗硫化、耐无铅回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于高压电源去耦、传感信号滤波、工业驱动 EMI 抑制、车载模块电压缓冲、通信设备高频降噪电路。

MLCC 1206 47nF 50V X7R ±10%

MLCC 1206 47nF 50V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 47nF 50V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,适配工业控制、车载电控、通信模块、开关电源的电源回路与高频信号滤波场景。核心优势:1206 主流封装兼顾 PCB 布局空间与载流能力、50V 额定耐压预留充足安全余量、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容量变化平缓、防潮抗硫化、兼容无铅高温回流焊、耐受冷热冲击与持续机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,广泛用于信号回路降噪、主控芯片电源去耦、车载传感器电压缓冲、高频 EMI 杂波吸收、控制板稳压电路。

MLCC 1206 100nF 25V X7R ±10%

MLCC 1206 100nF 25V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 100nF 25V X7R ±10% MLCC 采用稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,广泛应用于车载电子、工业工控、开关电源、通信模块电源及信号滤波电路。核心优势:1206 主流标准封装、25V 标准耐压通用性广、低 ESR 低介质损耗、-55℃~125℃容值变化平缓、防潮抗硫化、适配无铅高温回流焊、耐冷热循环与机械振动、适配全自动高速 SMT 批量贴装,多用于主控芯片供电去耦、DC-DC 稳压缓冲、车载传感器稳压、线路高频噪声抑制、电源适配器纹波吸收回路。

MLCC 1206 150nF 25V X7R ±10%

MLCC 1206 150nF 25V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 150nF 25V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质,多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,广泛适配车载电子、工业工控、开关电源、通信模块通用电源与信号滤波电路。核心优势为 1206 主流封装空间利用率高、25V 标准耐压通用性强、低 ESR 低介质损耗、-55℃~125℃容值波动小、防潮抗硫化、耐受无铅高温回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 批量贴装,常用于芯片供电去耦、DC-DC 稳压缓冲、车载传感器稳压、线路高频杂波抑制、适配器纹波吸收回路。

MLCC 1206 220nF 50V X7R ±10%

MLCC 1206 220nF 50V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 220nF 50V X7R ±10% MLCC 采用高稳定性钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,适配工业控制、车载电控、通信电源、伺服驱动各类中低压电源与信号滤波电路。核心优势:1206 主流封装布局灵活、50V 额定耐压余量充足、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值变化平缓、防潮抗硫化、耐无铅高温回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于主控芯片电源去耦、DC-DC 回路稳压、车载传感器信号缓冲、高频杂波吸收、工控主板 EMI 噪声抑制电路。

MLCC 1206 330nF 25V X7R ±10%

MLCC 1206 330nF 25V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 330nF 25V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧工艺,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,适配车载电控、开关电源、工业控制、通信模块通用滤波去耦电路。核心优势:1206 主流封装布局灵活、25V 标准耐压适配范围广、低 ESR 低介质损耗、-55℃~125℃容值波动平缓、防潮抗硫化、耐无铅回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于电源回路滤波、芯片电源去耦、车载传感器缓冲、高频 EMI 杂波抑制、升降压电路稳压。

MLCC 1206 470nF 50V X7R ±10%

MLCC 1206 470nF 50V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 470nF 50V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,适配工业控制、车载电控、通信电源、伺服驱动各类中低压电源与信号滤波电路。核心优势:1206 主流封装空间利用率高、50V 额定耐压余量充足、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值变化平缓、防潮抗硫化、耐无铅高温回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于主控芯片电源去耦、DC-DC 回路稳压、车载传感器信号缓冲、高频杂波吸收、工控主板 EMI 噪声抑制电路。

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