1、专为 AI 眼镜场景设计，采用金属薄膜工艺 + 精密封装，低噪声、耐温变、抗振动，适配 AI 眼镜紧凑空间、高频工作、长期穿戴等复杂场景，可靠性符合穿戴设备标准； 2、0402 标准封装（1.0×0.5mm），体积小巧，适配 AI 眼镜 PCB 高密度布局，兼容高精度自动化贴片工艺，满足大批量生产需求，安装便捷； 3、标称阻值 10KΩ，阻值精度 ±1%（F 级），温度系数（TCR）±25ppm/℃，参数一致性强，可精准实现信号采样与基准电路匹配，保障电路精度稳定； 4、宽温工作范围 - 55℃~+125℃，覆盖 AI 眼镜户外、室内全使用环境，阻值随温度变化极小，稳定适配穿戴设备复杂温变工况； 5、高频特性优异，寄生参数小，低电磁干扰，适配 AI 眼镜主控、传感器、通信模块工作需求，减少信号失真，助力设备低功耗长续航。

1、专为 AI 眼镜穿戴设备设计，采用高磁导率磁芯 + 精密绕线结构，耐振动、抗干扰、低损耗，适配 AI 眼镜长期佩戴、高频开关、紧凑空间等复杂工况，可靠性高； 2、0402 标准封装（1.0×0.5mm），体积小巧，适配 AI 眼镜高密度 PCB 布局，兼容自动化贴片工艺，满足大批量生产； 3、标称电感值 1.0μH，精度 ±5%，饱和电流大、直流电阻 DCR 低，供电效率高，可有效提升续航； 4、宽温工作范围 - 55℃~+125℃，覆盖室内外、充电发热、户外低温等全场景使用环境，电感特性稳定不衰减； 5、磁屏蔽结构，抗电磁干扰强，不影响 AI 眼镜无线通信、传感器、摄像头等模块正常工作。

1、专为 AI 眼镜穿戴设备设计，采用高精合金材质，抗振动、耐冲击、抗硫化，适配 AI 眼镜紧凑空间、长期佩戴、户外复杂环境，稳定性远超普通电阻； 2、0402 微型封装（1.0×0.5mm），体积小巧，适配 AI 眼镜高密度 PCB 布局，兼容自动化贴片工艺，满足大批量生产； 3、标称阻值 0.05Ω，精度 ±1%，极低温度系数 TCR±50ppm/℃，参数一致性极高，可实现精准电流采样与检测； 4、宽温工作范围 - 55℃~+125℃，适应 AI 眼镜室内外、充电发热、低温环境等全工况，阻值不漂移； 5、低发热、低损耗、高散热，适配 AI 眼镜小体积、高集成、低功耗设计，提升设备续航与安全性。

1、专为 AI 眼镜场景设计，采用高磁导率铁氧体磁芯 + 对称绕线工艺，共模抑制比高、差模损耗低、抗振动，适配 AI 眼镜紧凑空间、高频多模块、长期穿戴的复杂使用场景，可靠性符合穿戴设备严苛标准； 2、0402 标准封装（1.0×0.5mm），极致小巧化设计，完美适配 AI 眼镜 PCB 高密度布局，不占用额外电路空间，兼容高精度自动化贴片工艺，满足大批量生产需求； 3、标称共模电感值 100nH，电感精度 ±10%（K 级），共模抑制比≥60dB@100MHz，参数一致性强，可高效抑制电路中的共模电磁干扰，过滤杂波信号，保障核心电路纯净运行； 4、宽温工作范围 - 55℃~+125℃，覆盖 AI 眼镜户外低温、室内常温、充电发热等全使用环境，磁芯性能稳定，电感值随温度变化小，适配穿戴设备复杂温变工况； 5、直流电阻（DCR）≤1.2Ω/ 绕组，寄生电容小（≤0.8pF），高频损耗低，适配 AI 眼镜蓝牙 / WIFI/5G 无线通信、传感器信号传输的高频需求，不影响信号传输效率，助力设备低功耗运行。

1、专为 AI 眼镜场景设计，采用高磁导率纳米晶磁芯 + 精密绕线工艺，Q 值高、磁损耗低、抗干扰强，适配 AI 眼镜高频通信、紧凑空间、长期穿戴等复杂场景，可靠性符合穿戴设备标准； 2、0402 标准封装（1.0×0.5mm），体积小巧紧凑，完美适配 AI 眼镜 PCB 高密度布局，兼容高精度自动化贴片工艺，满足大批量生产需求，安装便捷； 3、标称电感值 10nH，电感精度 ±5%（J 级），品质因数（Q 值）≥60@1GHz，参数一致性强，可高效实现高频信号匹配与储能滤波，保障无线通信链路稳定；4、宽温工作范围 - 55℃~+125℃，覆盖 AI 眼镜户外、室内全使用环境，温度系数（TCR）±30ppm/℃，电感值随温度变化小，稳定适配穿戴设备复杂温变工况； 5、直流电阻（DCR）≤0.8Ω，寄生电容小（≤0.5pF），适配 AI 眼镜蓝牙 / WIFI/5G 通信模块的高频工作需求，减少信号衰减与能量损耗，助力设备长续航。

1、专为 AI 眼镜场景设计，采用高纯度硅基介质 + 超薄封装工艺，介电性能稳定、耐温变、抗振动，适配 AI 眼镜超紧凑空间、高频工作、长期穿戴等复杂场景，可靠性符合穿戴设备标准； 2、01005 极限微型封装（0.4×0.2mm），是 AI 眼镜等穿戴设备的极致空间适配封装，相比 0201 封装节省 30% 以上 PCB 面积，兼容高精度自动化贴片工艺，满足大批量生产需求； 3、标称容量 47nF（473），容量精度 ±10%（K 级），等效串联电阻（ESR）≤30mΩ@1MHz，参数一致性强，可高效实现高频电源去耦，快速吸收电路杂波，保障芯片供电纯净； 4、宽温工作范围 - 55℃~+125℃，覆盖 AI 眼镜户外低温、室内常温全使用环境，温度系数（TCR）±100ppm/℃，容量随温度变化极小，稳定适配穿戴设备复杂温变工况； 5、高频损耗极低（DF≤1.5%@1MHz），寄生电感近乎忽略，适配 AI 眼镜高频主控芯片、蓝牙 / WIFI 模块的工作需求，减少信号衰减与电磁干扰，助力设备低功耗长续航。

1、专为 AI 眼镜场景设计，采用 NP0/X7R 高频陶瓷介质 + 超微型封装工艺，介电性能稳定、抗振动、耐温变，适配 AI 眼镜紧凑空间、高频工作、长期穿戴等复杂场景，可靠性强； 2、0201 标准封装（0.6×0.3mm），是 AI 眼镜等穿戴设备的核心适配封装，极致节省 PCB 空间，兼容高精度自动化贴片工艺，满足大批量生产需求； 3、标称容量 100nF（104），容量精度 ±10%（K 级），等效串联电阻（ESR）≤50mΩ@1MHz，参数一致性强，可高效实现电源去耦与高频滤波，保障电路信号纯净； 4、宽温工作范围 - 55℃~+125℃，覆盖 AI 眼镜户外、室内全使用环境，温度系数（TCR）±150ppm/℃（X7R 介质），容量随温度变化小，稳定适配穿戴设备复杂温变场景； 5、高频损耗低（DF≤2.5%@1MHz），寄生电感小，适配 AI 眼镜高频主控芯片、无线通信模块的工作需求，减少信号衰减与电磁干扰，助力设备低功耗运行。

1、专为储能领域设计，采用石英晶体材质 + 密封抗干扰封装，抗潮湿、耐振动、防电磁干扰，适配储能集装箱、储能变流器、户外储能设备等复杂运行环境，时钟输出稳定； 2、3225 标准封装（3.2×2.5mm），体积小巧，适配储能控制板紧凑布局，兼容自动化贴片工艺，满足大批量生产需求； 3、标称频率 32.768KHz，频率精度 ±10ppm，温漂系数 ±30ppm/℃，参数一致性强，可提供精准稳定的时钟信号，保障储能系统时序同步与控制逻辑精准； 4、宽温工作范围 - 40℃~+85℃，覆盖储能设备全工况温度区间，在极端高低温环境下仍能保持频率稳定，避免时序紊乱 5、低功耗特性突出（典型功耗≤1μA），适配储能设备低功耗运行需求，同时起振速度快（≤5ms），可快速响应系统启动指令。

1、专为储能领域设计，采用优质铁氧体磁环磁芯 + 多层密绕工艺，磁导率稳定、耐温变、抗老化，适配储能集装箱、储能变流器、光伏逆变器等大功率复杂运行环境，能量转换效率高； 2、磁环外径 25mm× 内径 12mm× 高度 10mm 标准尺寸，结构紧凑，适配储能 PCB 板与功率模块密集布局，安装便捷，兼容自动化装配工艺； 3、标称电感值 22μH，电感精度 ±10%，饱和电流 25A（DC），参数一致性强，可稳定存储与释放能量，有效滤除储能电路中的高频杂波与电磁干扰； 4、宽温工作范围 - 40℃~+125℃，覆盖储能设备全工况温度区间，磁芯损耗低（≤300mW/cm³@100kHz），在高温负载状态下仍能保持稳定电感特性； 5、直流电阻（DCR）低（≤50mΩ），电流损耗小，可承受储能大功率回路的持续大电流，避免过热损坏，提升电路整体运行效率。

1、专为储能领域设计，采用高分子聚合物固态电解质 + 抗硫化封装，耐纹波电流、抗老化、无漏液风险，适配储能集装箱、光伏逆变器、储能变流器等复杂运行环境，使用寿命长达 10000 小时以上； 2、6*7mm 标准封装，适配储能 PCB 紧凑布局，兼容自动化装配工艺，满足大批量生产需求，安装便捷； 3、标称容量 100UF，额定电压 35V，等效串联电阻（ESR）≤15mΩ，参数一致性强，可高效滤除储能电路高频杂波，保障电源输出纯净稳定； 4、宽温工作范围 - 40℃~+125℃，覆盖储能设备全工况温度区间，在极端高低温环境下容量衰减小，性能稳定可靠； 5、纹波电流承受能力强（≥2.5A@100kHz），可适应储能高频开关电路的工作模式，减少发热损耗，避免电路因杂波干扰导致故障。

1、专为储能领域设计，采用优质铁硅铝磁环磁芯 + 多层密绕工艺，磁导率稳定、耐温变、抗老化，适配储能集装箱、储能变流器、光伏逆变器等大功率运行环境，能量转换效率高； 2、磁环外径 20mm× 内径 10mm× 高度 8mm 标准尺寸，结构紧凑，适配储能 PCB 板与功率模块密集布局，安装便捷，兼容自动化装配工艺； 3、标称电感值 10μH，电感精度 ±10%，饱和电流 30A（DC），参数一致性强，可稳定存储与释放能量，有效滤除储能电路中的高频杂波； 4、宽温工作范围 - 40℃~+125℃，覆盖储能设备全工况温度区间，磁芯损耗低（≤500mW/cm³@100kHz），在高温负载状态下仍能保持稳定电感特性； 5、直流电阻（DCR）低（≤80mΩ），电流损耗小，可承受储能大功率回路的持续大电流，避免过热损坏，提升电路整体效率。

1、专为储能领域设计，采用陶瓷密封封装 + 惰性气体填充，抗潮湿、耐粉尘、防老化，适配储能集装箱、光伏逆变器、户外储能设备等复杂运行环境，防护性能稳定； 2、DO-214AC 标准封装（SMA），适配储能 PCB 紧凑布局，兼容自动化贴片工艺，满足大批量生产需求，安装便捷； 3、标称直流击穿电压 90V，脉冲放电电流 10kA（8/20μs），绝缘电阻≥100MΩ，参数一致性强，可快速泄放雷击、电路开关产生的瞬时浪涌能量，避免核心元器件击穿损坏； 4、宽温工作范围 - 55℃~+125℃，覆盖储能设备全工况温度区间，在极端高低温环境下仍能保持稳定击穿特性，防护性能不衰减； 5、无续流特性优异，放电后快速恢复高阻状态，不影响储能电路正常工作，同时寄生电容小（≤3pF），对高频信号干扰小。