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超薄大容量 10V 33μF ±20% X5R 贴片陶瓷电容

超薄大容量 10V 33μF ±20% X5R 贴片陶瓷电容

PAGOODA本品采用纳米级超薄介质 + 千层微叠层工艺,厚度低至0.15mm,在超薄封装下实现超大容值密度,具备低 ESR、低 ESL、耐高温、抗振动、高可靠特性,专为轻薄化、高集成设备的电源稳压、大电流去耦、电压平滑设计,可替代部分铝电解电容,节省空间并提升稳定性。

超薄大容量 16V 4.7μF ±20% X5R 贴片陶瓷电容

超薄大容量 16V 4.7μF ±20% X5R 贴片陶瓷电容

PAGOODA本款超薄大容量 MLCC 采用超薄陶瓷介质与多层堆叠工艺,具备厚度纤薄、高容值密度、低 ESR、耐高温、抗振动、适配高密度贴装特性,多用于超薄设备电源去耦、滤波稳压、电压平滑,可替代传统铝电解电容,在有限空间内保障电路长期稳定运行。

超薄大容量 6.3V 10μF ±20% X5R 贴片陶瓷电容

超薄大容量 6.3V 10μF ±20% X5R 贴片陶瓷电容

PAGOODA本款超薄大容量 MLCC 采用超薄陶瓷介质与多层堆叠工艺,具备厚度纤薄、高容值密度、低 ESR、耐高温、抗振动、适配高密度贴装特性,多用于超薄设备电源去耦、滤波稳压、电压平滑,可替代传统铝电解电容,在有限空间内保障电路长期稳定运行。

超薄大容量 10V 22μF ±20% X5R 贴片陶瓷电容

超薄大容量 10V 22μF ±20% X5R 贴片陶瓷电容

PAGOODA本款超薄大容量 MLCC 采用超薄陶瓷介质与多层堆叠工艺,具备厚度纤薄、高容值密度、低 ESR、耐高温、抗振动、适配高密度贴装特性,多用于超薄设备电源去耦、滤波稳压、电压平滑,可替代传统铝电解电容,在有限空间内保障电路长期稳定运行。

超薄大容量 0402 47μF ±20% X5R 低压高容贴片陶瓷电容

超薄大容量 0402 47μF ±20% X5R 低压高容贴片陶瓷电容

PAGOODA本品采用纳米级超薄介质 + 千层微叠层工艺,厚度低至0.15mm,在超薄封装下实现超大容值密度,具备低 ESR、低 ESL、耐高温、抗振动、高可靠特性,专为轻薄化、高集成设备的电源稳压、大电流去耦、电压平滑设计,可替代部分铝电解电容,节省空间并提升稳定性。

超微型 MLCC 10V 0.22μF ±10% X5R 贴片陶瓷电容

超微型 MLCC 10V 0.22μF ±10% X5R 贴片陶瓷电容

PAGOODA本款超微型 MLCC 采用超薄陶瓷介质与微叠层工艺打造,具备体积小巧、高容密、低 ESR、高频特性优、抗振动、适配高密度贴装特性,多用于微型电路去耦、高频滤波、阻抗匹配,适配轻薄化、高集成度电子产品,在狭小空间内保障电路稳定运行。

超微型 MLCC 25V 10nF ±10% C0G 贴片陶瓷电容

超微型 MLCC 25V 10nF ±10% C0G 贴片陶瓷电容

PAGOODA本款超微型 MLCC 采用超薄陶瓷介质与微叠层工艺打造,具备体积小巧、高容密、低 ESR、高频特性优、抗振动、适配高密度贴装特性,多用于微型电路去耦、高频滤波、阻抗匹配,适配轻薄化、高集成度电子产品,在狭小空间内保障电路稳定运行。

超微型 MLCC 50V 100nF ±10% X5R 贴片陶瓷电容

超微型 MLCC 50V 100nF ±10% X5R 贴片陶瓷电容

PAGOODA本款超微型 MLCC 采用超薄陶瓷介质与微叠层工艺打造,具备体积小巧、高容密、低 ESR、高频特性优、抗振动、适配高密度贴装特性,多用于微型电路去耦、高频滤波、阻抗匹配,适配轻薄化、高集成度电子产品,在狭小空间内保障电路稳定运行。

超微型 MLCC 16V 0.47μF ±10% X5R 贴片陶瓷电容

超微型 MLCC 16V 0.47μF ±10% X5R 贴片陶瓷电容

PAGOODA本款超微型 MLCC 采用超薄陶瓷介质与微叠层工艺打造,具备体积小巧、高容密、低 ESR、高频特性优、抗振动、适配高密度贴装特性,多用于微型电路去耦、高频滤波、阻抗匹配,适配轻薄化、高集成度电子产品,在狭小空间内保障电路稳定运行。

超微型 MLCC 25V 1μF ±10% X5R 贴片陶瓷电容

超微型 MLCC 25V 1μF ±10% X5R 贴片陶瓷电容

PAGOODA本款超微型 MLCC 采用超薄陶瓷介质与微叠层工艺打造,具备体积小巧、高容密、低 ESR、高频特性优、抗振动、适配高密度贴装特性,多用于微型电路去耦、高频滤波、阻抗匹配,适配轻薄化、高集成度电子产品,在狭小空间内保障电路稳定运行。

高容MLCC 16V 22μF ±20% X5R 大容量贴片陶瓷电容

高容MLCC 16V 22μF ±20% X5R 大容量贴片陶瓷电容

PAGOODA本款高容 MLCC 采用高介电陶瓷粉料多层堆叠工艺,X5R 介质配方,具备大容量、低 ESR、耐偏压、抗振动、无漏液、小型化等特性,多用于电源去耦、滤波稳压、瞬时储能,可替代部分铝电解电容,稳定主控回路供电。

高容MLCC 6.3V 100μF ±20% X5R 大容量贴片陶瓷电容

高容MLCC 6.3V 100μF ±20% X5R 大容量贴片陶瓷电容

PAGOODA本款高容 MLCC 采用高介电陶瓷粉料多层堆叠工艺,X5R 介质配方,具备大容量、低 ESR、耐偏压、抗振动、无漏液、小型化等特性,多用于电源去耦、滤波稳压、瞬时储能,可替代部分铝电解电容,稳定主控回路供电。

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