PAGOODA 高容 1206 1.5μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。
PAGOODA 高容 1206 0.68μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。
PAGOODA 高容 1206 0.47μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。
PAGOODA 高容 1206 47μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。
PAGOODA 高容 1206 33μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。
PAGOODA 高容 1206 2.2μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。
PAGOODA 高容 1206 1μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。
PAGOODA 高容 1206 1μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。
PAGOODA 高容 1206 3.3μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。
PAGOODA 高容 1206 15μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。
PAGOODA 高容 1206 6.8μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。
PAGOODA 高容 1206 33μF 贴片 MLCC 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺，高纯镍内电极，抗硫化三层镍铜锡端头，无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板，实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能，可部分替代小型铝电解与钽电容。
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