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MLCC 0805 100nF 50V X7R ±10%

MLCC 0805 100nF 50V X7R ±10%

PAGOODA0805 封装 100nF 50V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,适用于消费电子、工业控制、车载外设、通信模块、开关电源的信号回路与电源去耦滤波场景。核心优势:0805 小型主流封装节约 PCB 空间、50V 额定耐压预留充足安全余量、低 ESR 低介质损耗、‑55℃~+125℃容量变化平缓、防潮抗硫化、兼容无铅高温回流焊、耐受冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于主控芯片电源去耦、信号回路滤波、车载外设电压缓冲、高频 EMI 杂波吸收、电源辅助稳压电路。

MLCC 1206 33nF 50V X7R ±10%

MLCC 1206 33nF 50V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 33nF 50V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,广泛应用于工业控制单元、车载电控模块、通信电路板、开关电源信号与低压供电滤波线路。核心优势:1206 主流封装布局灵活、50V 额定耐压安全余量充足、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值波动平缓、防潮抗硫化、适配无铅高温回流焊、耐受冷热冲击与持续机械振动、支持全自动高速 SMT 量产,常用于主控芯片电源去耦、传感信号隔离滤波、高频杂波吸收、车载控制板 EMI 抑制、DC-DC 辅助稳压回路。

MLCC 1206 22nF 50V X7R ±10%

MLCC 1206 22nF 50V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 22nF 50V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,适配工业控制、车载电控、通信模块、开关电源的电源回路与高频信号滤波场景。核心优势:1206 主流封装兼顾 PCB 布局空间与载流能力、50V 额定耐压预留充足安全余量、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容量变化平缓、防潮抗硫化、兼容无铅高温回流焊、耐受冷热冲击与持续机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,广泛用于信号回路降噪、主控芯片电源去耦、车载传感器电压缓冲、高频 EMI 杂波吸收、控制板稳压电路。

MLCC 1206 22μF 10V X7R ±20%

MLCC 1206 22μF 10V X7R ±20%

PAGOODA1206 封装 22μF 10V X7R ±20% MLCC 采用高介电钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向低压开关电源、便携储能、车载低压电控、工控主板供电滤波场景开发。核心优势:1206 主流封装容载量充足、10V 低压规格适配广泛、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容量特性平稳、防潮抗硫化、兼容无铅高温回流焊、耐冷热冲击与持续机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于 DC-DC 升降压回路滤波、负载稳压缓冲、锂电池供电回路降噪、主控芯片大容量去耦、电源适配器纹波吸收电路。

MLCC 1206 10μF 16V X7R ±20%

MLCC 1206 10μF 16V X7R ±20%

PAGOODA1206 封装 10μF 16V X7R ±20% MLCC 采用高介电钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,适配低压开关电源、车载电控、便携储能、工控主板电源滤波场景。核心优势:1206 主流封装储能空间充足、16V 耐压预留安全余量、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值衰减平缓、防潮耐腐蚀、兼容无铅高温回流焊、抗振动冷热冲击、适配高速全自动 SMT 量产,多用于电源输入输出滤波、DC-DC 升降压稳压、锂电池回路缓冲、电机 EMI 噪声抑制、适配器纹波吸收电路。

MLCC 1206 10μF 10V X7R ±20%

MLCC 1206 10μF 10V X7R ±20%

PAGOODA1206 封装 10μF 10V X7R ±20% MLCC 采用高介电钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向低压开关电源、车载电控、便携储能、工控主板电源滤波场景研发。核心优势:1206 主流封装储能充足、10V 低压规格适配广泛、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值衰减平缓、防潮耐腐蚀、耐无铅高温回流焊、抗振动冷热冲击、适配高速全自动 SMT 量产,广泛用于电源输入输出滤波、DC-DC 升降压稳压、锂电池缓冲稳压、电机 EMI 噪声抑制、适配器纹波吸收电路。

MLCC 1206 4.7μF 16V X7R ±20%

MLCC 1206 4.7μF 16V X7R ±20%

PAGOODA1206 封装 4.7μF 16V X7R ±20% MLCC 采用高介电钛酸钡陶瓷介质,多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向快充电源、车载电控、便携储能、工业驱动电源滤波场景打造。核心优势:1206 主流封装兼顾 PCB 空间与储能能力、16V 标准耐压应用广泛、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值变化平缓、防潮抗腐蚀、适配无铅高温回流焊、耐冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,广泛用于电源输入输出滤波、DC-DC 升降压稳压、锂电池回路缓冲、电机 EMI 噪声抑制、适配器纹波吸收电路。

MLCC 1206 3.3μF 16V X7R ±10%

MLCC 1206 3.3μF 16V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 3.3μF 16V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向车载电子、开关电源、工业伺服、通信模块电源滤波与芯片去耦场景开发。核心优势:1206 主流封装平衡 PCB 空间与纹波承载能力、16V 标准耐压适配广泛、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值变化平缓、防潮抗硫化、耐受无铅高温回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于电源输入输出滤波、DC-DC 升降压稳压、主控芯片去耦、车载传感电压缓冲、线路高频杂波抑制电路。

MLCC 1206 2.2μF 25V X7R ±10%

MLCC 1206 2.2μF 25V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 2.2μF 25V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向车载电子、开关电源、工业伺服、通信模块电源滤波与芯片去耦场景开发。核心优势:1206 主流封装平衡 PCB 空间与纹波承载能力、25V 标准耐压适配广泛、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值变化平缓、防潮抗硫化、耐受无铅高温回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于电源输入输出滤波、DC-DC 升降压稳压、主控芯片去耦、车载传感电压缓冲、线路高频杂波抑制电路。

MLCC 1206 1μF 50V X7R ±10%

MLCC 1206 1μF 50V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 1μF 50V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向车载电子、开关电源、工业伺服、通信模块电源滤波与芯片去耦场景开发。核心优势:1206 主流封装平衡 PCB 空间与纹波承载能力、50V 中压耐压安全余量充足、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值变化平缓、防潮抗硫化、耐受无铅高温回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于电源输入输出滤波、DC-DC 升降压稳压、主控芯片去耦、车载传感电压缓冲、线路高频杂波抑制电路。

MLCC 1206 10nF 50V X7R ±10%

MLCC 1206 10nF 50V X7R ±10%

PAGOODA1206 封装 10nF 50V X7R ±10% MLCC 采用高稳定钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧一体成型,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向工业控制、车载电控、通信模块高频信号回路、低压电源滤波场景开发。核心优势:1206 主流封装布局灵活、50V 额定耐压余量充足、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值波动平缓、防潮抗硫化、耐无铅高温回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于高频信号耦合、芯片电源去耦、车载传感器缓冲、线路高频杂波抑制、控制板 EMI 降噪电路。

MLCC 1206 22nF 100V X7R ±5%

MLCC 1206 22nF 100V X7R ±5%

PAGOODA1206 封装 22nF 100V X7R ±5% MLCC 采用高稳定性钛酸钡陶瓷介质、多层高纯镍内电极高温共烧工艺,搭配三层镍铜锡防硫化复合端头,面向工业控制单元、车载电控、通信设备高压信号线路开发。核心优势:1206 主流封装布局灵活、100V 高压安全余量充足、±5% 高精度、低 ESR 低介质损耗、-55℃~+125℃容值波动平缓、防潮抗硫化、耐无铅回流焊、抗冷热冲击与机械振动、适配全自动高速 SMT 量产,多用于高压电源去耦、传感信号滤波、工业驱动 EMI 抑制、车载模块电压缓冲、通信设备高频降噪电路。

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