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钽电容 3216 4.7μF 16V ±10%

钽电容 3216 4.7μF 16V ±10%

PAGOODA 钽电容 3216 封装 4.7μF 16V ±10% 采用二氧化锰钽介质,高纯度钽粉烧结阳极,多层封装工艺,耐焊金属端头。广泛应用于便携设备、无线通讯模组、工控控制板、开关电源、数码主板电路,实现电源储能、低频滤波、电压稳压、抑制电源纹波。

钽电容 3216 33μF 6.3V ±20%

钽电容 3216 33μF 6.3V ±20%

PAGOODA 钽电容 3216 封装 33μF 6.3V ±20% 采用二氧化锰钽介质,高纯度钽粉烧结阳极,多层封装工艺,耐焊金属端头。广泛应用于便携设备、无线通讯模组、工控控制板、开关电源、数码主板电路,实现电源储能、低频滤波、电压稳压、抑制电源纹波。

钽电容 3216 6.8μF 10V ±10%

钽电容 3216 6.8μF 10V ±10%

PAGOODA 钽电容 3216 封装 6.8μF 10V ±10% 采用二氧化锰钽介质,高纯度钽粉烧结阳极,多层封装工艺,耐焊金属端头。广泛应用于便携设备、无线通讯模组、工控控制板、开关电源、数码主板电路,实现电源储能、低频滤波、电压稳压、抑制电源纹波。

钽电容 3216 15μF 6.3V ±20%

钽电容 3216 15μF 6.3V ±20%

PAGOODA 钽电容 3216 封装 15μF 6.3V ±20% 采用二氧化锰钽介质,高纯度钽粉烧结阳极,多层封装工艺,耐焊金属端头。广泛应用于便携设备、无线通讯模组、工控控制板、开关电源、数码主板电路,实现电源储能、低频滤波、电压稳压、抑制电源纹波。

钽电容 3216 10μF 16V ±20%

钽电容 3216 10μF 16V ±20%

PAGOODA 钽电容 3216 封装 10μF 16V ±20% 采用二氧化锰钽介质,高纯度钽粉烧结阳极,多层封装工艺,耐焊金属端头。广泛应用于便携设备、无线通讯模组、工控控制板、开关电源、数码主板电路,实现电源储能、低频滤波、电压稳压、抑制电源纹波。

车规级电容 0805 150nF 50V X7R ±10%

车规级电容 0805 150nF 50V X7R ±10%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用高可靠钛酸钡陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载 ECU、BMS、车灯模块电源去耦滤波,核心优势宽温稳定、抗振动冲击、耐车载恶劣工况、容值漂移小、适配 SMT 高速量产,主要用于车身控制器、车载传感器、座舱电子、车载 DC‑DC 回路。

车规级电容 0805 22μF 16V X6S ±20%

车规级电容 0805 22μF 16V X6S ±20%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用 X6S 高容钛酸钡陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载 DC‑DC 电源、BMS、座舱电控大电流去耦稳压,核心优势小体积大容量、‑55℃~+105℃容值变化≤±22%、抗振动冲击、耐车载恶劣工况、适配 SMT 高速量产,主要用于车身控制器、车载信息娱乐、电源模块、车载负载回路京セラAV...

车规级电容 0805 680pF 100V C0G ±5%

车规级电容 0805 680pF 100V C0G ±5%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用 C0G 一类温度补偿陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载射频匹配、晶振负载、ADAS 信号调理回路,核心优势温漂极小、无偏压容值衰减、低损耗、抗振动冲击、适配 SMT 高速量产,主要用于自动驾驶模块、车载传感器、车载时钟振荡、高频信号回路。

车规级电容 0805 330nF 50V X7R ±20%

车规级电容 0805 330nF 50V X7R ±20%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用高可靠钛酸钡陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载 ECU、BMS、车灯模块电源去耦滤波,核心优势宽温稳定、抗振动冲击、耐车载恶劣工况、容值漂移小、适配 SMT 高速量产,主要用于车身控制器、车载传感器、座舱电子、车载 DC‑DC 回路。

车规级电容 0805 1μF 100V X7R ±10%

车规级电容 0805 1μF 100V X7R ±10%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用高可靠钛酸钡陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载 ECU、BMS、车灯模块电源去耦滤波,核心优势宽温稳定、抗振动冲击、耐车载恶劣工况、容值漂移小、适配 SMT 高速量产,主要用于车身控制器、车载传感器、座舱电子、车载 DC‑DC 回路。

车规级电容 0805 470pF 50V C0G ±5%

车规级电容 0805 470pF 50V C0G ±5%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用 C0G 一类温度补偿陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载高频信号回路、传感器匹配、谐振滤波,核心优势温漂极小、无偏压容值衰减、低损耗、抗振动冲击、适配 SMT 高速量产,主要用于自动驾驶模块、车载射频、信号采样、精密调理回路。

车规级电容 0805 2.2μF 50V X5R ±20%

车规级电容 0805 2.2μF 50V X5R ±20%

PAGOODA 0805 车规级 MLCC 采用高可靠钛酸钡陶瓷介质,高纯镍内电极高温共烧成型,抗硫化三层镍铜锡端头,满足 AEC‑Q200 车规认证,用于车载 ECU、BMS、车灯模块电源去耦滤波,核心优势宽温稳定、抗振动冲击、耐车载恶劣工况、容值漂移小、适配 SMT 高速量产,主要用于车身控制器、车载传感器、座舱电子、车载 DC‑DC 回路。

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