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高容 1206 4.7μF 50V 10% X7R

高容 1206 4.7μF 50V 10% X7R

PAGOODA高容 MLCC1206 采用超细陶瓷粉体多层堆叠共烧工艺,高纯镍内电极,抗硫化三层镍铜锡端头,无极性全陶瓷结构。广泛用于 AI 板卡、工业控制板、DC-DC 电源模块、智能终端主板,实现电源储能、大电流去耦、抑制电源纹波、瞬时补能,可部分替代小型铝电解与钽电容。

0805 470PF 50V K X7R

0805 470PF 50V K X7R

适配各类数字与模拟电路,核心用于电源去耦、高频噪声抑制、信号旁路耦合,是工业及消费电子主板中通用性极强的 MLCC 物料。

0805 100NF 50V K X7R

0805 100NF 50V K X7R

适配各类数字与模拟电路,核心用于电源去耦、高频噪声抑制、信号旁路耦合,是工业及消费电子主板中通用性极强的 MLCC 物料。

1210 10UF 50V K X7R

1210 10UF 50V K X7R

工业电源贴片电容1210 X7R 10UF 50V K,10μF大容量搭配50V额定耐压,X7R介质拥有优秀宽温稳定特性,主要用于电源输入输出稳压滤波、大功率芯片电源去耦、瞬态电流储能缓冲,是工控与通信电源方案热门选型物料。

0603 10NF 50V K X7R

0603 10NF 50V K X7R

适配各类数字与模拟电路,核心用于电源去耦、高频噪声抑制、信号旁路耦合,是工业及消费电子主板中通用性极强的 MLCC 物料。

0603 100NF 50V K X7R

0603 100NF 50V K X7R

适配各类数字与模拟电路,核心用于电源去耦、高频噪声抑制、信号旁路耦合,是工业及消费电子主板中通用性极强的 MLCC 物料。

1812 10NF 3KV K X7R

1812 10NF 3KV K X7R

高压电源贴片电容1812 X7R 10NF 3KV K,0.01μF标准容值搭配3000V超高直流耐压,X7R介质宽温性能稳定,主要用于高压开关回路尖峰吸收、高频噪声滤除、高压端口隔离旁路,是工业高压电源、逆变器方案里通用性很强的高压MLCC。

1206 10UF 50V K X7R

1206 10UF 50V K X7R

适配各类数字与模拟电路,核心用于电源滤波、大容量去耦、储能及信号旁路耦合,是工业及消费电子主板中通用性极强的 MLCC 物料。

0805 10NF 50V K X7R

0805 10NF 50V K X7R

适配各类数字与模拟电路,核心用于电源去耦、高频噪声抑制、信号旁路耦合,是工业及消费电子主板中通用性极强的MLCC物料。

钽电容 3216 4.7μF 16V ±10%

钽电容 3216 4.7μF 16V ±10%

PAGOODA 钽电容 3216 封装 4.7μF 16V ±10% 采用二氧化锰钽介质,高纯度钽粉烧结阳极,多层封装工艺,耐焊金属端头。广泛应用于便携设备、无线通讯模组、工控控制板、开关电源、数码主板电路,实现电源储能、低频滤波、电压稳压、抑制电源纹波。

钽电容 3216 33μF 6.3V ±20%

钽电容 3216 33μF 6.3V ±20%

PAGOODA 钽电容 3216 封装 33μF 6.3V ±20% 采用二氧化锰钽介质,高纯度钽粉烧结阳极,多层封装工艺,耐焊金属端头。广泛应用于便携设备、无线通讯模组、工控控制板、开关电源、数码主板电路,实现电源储能、低频滤波、电压稳压、抑制电源纹波。

钽电容 3216 6.8μF 10V ±10%

钽电容 3216 6.8μF 10V ±10%

PAGOODA 钽电容 3216 封装 6.8μF 10V ±10% 采用二氧化锰钽介质,高纯度钽粉烧结阳极,多层封装工艺,耐焊金属端头。广泛应用于便携设备、无线通讯模组、工控控制板、开关电源、数码主板电路,实现电源储能、低频滤波、电压稳压、抑制电源纹波。

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